- Производитель:
- Модель:Фотодиод КФДМ
- Доступно:Есть в наличии1
- Категория качества:ВП
- Корпус::Металлостеклянный
- Масса, г::1
- Наработка на отказ::45000
- Температура окружающей среды, С°::от -60 до +85
- Показать все характеристики
Функциональные особенности
В основе фотодиода лежит p-n переход. Когда фотон частица света) с достаточной
энергией попадает на область p-n перехода, он может выбить электрон из атома,
создавая пару электрон-дырка. Под действием внутреннего электрического поля в
p-n переходе эти носители заряда начинают двигаться в противоположных
направлениях, генерируя фототок.
| Категория качества | ВП |
| Корпус: | Металлостеклянный |
| Масса, г: | 1 |
| Наработка на отказ: | 45000 |
| Температура окружающей среды, С°: | от -60 до +85 |
| Технические условия: | «5» АГЦ3.368.030ТУ |
Пока не было вопросов.
























