Транзистор 2Т321Б

Функциональные особенности

Будущее силовых отечественных транзисторов обещает быть еще более захватывающим. Исследователи активно работают над созданием транзисторов на основе новых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Эти материалы обладают превосходными характеристиками по сравнению с традиционным кремнием: они могут работать при более высоких температурах, выдерживать более высокие напряжения и переключаться гораздо быстрее. Именно благодаря этой способности работают все наши компьютеры, смартфоны и другая цифровая техника. Они обрабатывают информацию, представляя ее в виде включено единица или выключено ноль.