Транзистор КП103И

Функциональные особенности

Будущее транзисторов обещает быть еще более захватывающим. Исследователи активно работают над созданием различных универсальных транзисторов на основе новых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Эти материалы обладают превосходными характеристиками по сравнению с традиционным кремнием: они могут работать при более высоких температурах, выдерживать более высокие напряжения и переключаться гораздо быстрее.Именно благодаря этой способности работают в различных приборов и промышленном оборудование. Транзисторы обрабатывают информацию, представляя ее в виде включено единица или выключено ноль.