Транзистор КТ502Б

Функциональные особенности

Планарная же технология позволяет формировать все необходимые элементы транзистора базу, эмиттер, коллектор на одной плоскости, используя фотолитографию и травление. Такой подход обеспечивает высокую плотность размещения транзисторов на кристалле, что является основой для создания интегральных схем и микропроцессоров. Именно это сочетание – эпитаксиального роста и планарной технологии – делает кремниевые транзисторы столь универсальными и незаменимыми в современной электронике. 

Часто задаваемые вопросы 

Условия доставки   Скупка радиодетали 

Способы оплаты         Где получить